IT之家، وفقًا للأخبار الصادرة في 15 أكتوبر من وسائل الإعلام الكورية The Elec، كشفت شركة SK هيريسون عن نتائج أبحاثها المتعلقة بتحقيق حساب محاكي داخل الذاكرة (Analog Compute-in-Memory، A-CiM) باستخدام 3D FeNAND، وقد نُشرت الأبحاث ذات الصلة في ورقة بحث من IEEE.
وفقًا للتقديرات، يمكن لـ A-CiM استخدام الإشارات المحاكية لتنفيذ عمليات الضرب والجمع مباشرة في الذاكرة (IT之家 ملاحظة: MAC)،مما يقلل من نقل البيانات ويعزز سرعة المعالجة وكفاءة الاستخدام.
يستخدم 3D FeNAND حالة الاستقطاب للمواد الفيريديكية لتخزين البيانات وتركيب التيار الكهربائي. بالمقابل، تستخدم 3D NAND التقليدية هيكل النيتروجينيات التي تمتص الشحنة (CTN)، حيث يتم احتجاز الإلكترونات في طبقة النيتروجينيات. تتميز المواد الفيريديكية بأن حالة الاستقطاب داخلها يمكن أن تظل محفوظة حتى عند اختفاء المجال الكهربائي الخارجي.
قالت شركة SK هيريون إن FeNAND يمكنها إنتاج حالات تيار متعددة داخل وحدة التخزين الواحدة، وهي مناسبة لبيانات الأوزان المطلوبة للحوسبة الذكية.