IT之家 El 14 de octubre, según informó la agencia Yonhap, Ahn Hyun, gerente general de desarrollo de SK Hynix, hoy dio una conferencia principal en el “28º Salón de Semiconductores de Corea” (SEDEX 2026) que se celebró en el distrito de Gangnam, Seúl, en el COEX. Predijo que en el año 2030, el tamaño del rendimiento de la infraestructura de IA aumentará aproximadamente 20 veces.
An Xuan señaló que el mercado actual de razonamiento de IA está expandiéndose rápidamente en tres dimensiones: la aumentación de la complejidad de las tareas, el incremento en la cantidad de información procesada por cada operación (longitud del contexto) y el aumento explosivo en la cantidad de solicitudes de razonamiento. Estos factores se entrelazan entre sí, lo que impulsa el rápido crecimiento de las necesidades de infraestructura de potencia de cálculo para IA.
A medida que aumenta exponencialmente la demanda de inferencia de IA, el papel clave de los almacenadores encargados de guardar y transferir grandes cantidades de datos se hace aún más importante. En particular, la capacidad del “caché de claves-valores (KV Cache)” para almacenar y reutilizar información procesada anteriormente sigue creciendo, lo que obliga a los sistemas a distribuir los datos entre diferentes medios como HBM de alta banda ancha, DRAM y SSD. Los análisis indican que la transferencia de datos que se produce durante este proceso está convirtiéndose en un nuevo punto de estancamiento que limita el mejoramiento del rendimiento y aumenta el consumo energético del sistema.
En este sentido, An Xuan hizo esta predicción: es decir, la escala de rendimiento de la infraestructura de inteligencia artificial aumentará aproximadamente 20 veces para el año 2030.
An Xuan enfatizó que la industria no puede limitarse a mejorar el rendimiento de un solo chip de almacenamiento, sino que es necesario adoptar soluciones globales para optimizar toda la estructura de almacenamiento.
Para ello, SK Hynix, mientras optimiza continuamente las prestaciones del HBM existente, está esforzándose al máximo en la investigación y desarrollo de tecnologías de almacenamiento de próxima generación como el DRAM en empalme 3D y el HBF de alta banda ancha para memoria flash.
3D stacking DRAM: Al apilar directamente DRAM sobre chips lógicos como GPU y NPU, se logra un aumento significativo en el rendimiento de transmisión, al mismo tiempo que se reduce considerablemente la consumo de energía.
Alta banda ancha de memoria flash HBF: Se introduce la tecnología de empalme tridimensional de vías de silicio ya aplicada en HBM y los interfaces de I/O de alta velocidad en la memoria NAND, con el objetivo de crear un nuevo nivel de almacenamiento entre HBM y DRAM.
Según informes de IT Home, el objetivo de SK Hynix es lograr que la banda ancha de HBF sea aproximadamente el 50% de la de los HBM de la misma generación, al mismo tiempo que se realice una ampliación de capacidad de aproximadamente 10 veces.