El 12 de octubre de 2026, MemSilium (MemSilicon) anunció la finalización del tape-out de su primera generación de chips RRAM de alta densidad y gran capacidad basados en la ruta tecnológica 1TnR, denominada «Monte Tai Número Uno (MountTai 2026)».
«MountTai 2026» es un hito para MemSilicon en llevar la tecnología de chips de memoria nueva 1TnR de alta densidad y gran capacidad desde la investigación temprana hacia la producción de chips a nivel de Gb. Esta ruta tecnológica permite que múltiples celdas de memoria resistiva compartan un transistor de selección, aumentando la capacidad de almacenamiento por unidad de área, y utilizando un método de integración de interconexión posterior (back-end) totalmente compatible con plataformas CMOS, logrando así un equilibrio entre densidad, capacidad y coste.
El chip adopta la plataforma de proceso CMOS de 28 nm y una estructura de celda 1T4R, con una capacidad de 1 Gb por chip, una densidad de 30 Mb/mm², un tiempo de acceso inferior a 20 ns, y circuitos integrados de corrección de errores por hardware en el chip, logrando un avance conjunto entre gran capacidad, alta densidad y lectura de alta velocidad, ofreciendo una solución competitiva a nivel internacional para aplicaciones de memoria no volátil de alta densidad y gran capacidad en el chip.
Actualmente, «MountTai 2026» ha completado el tape-out y se encuentra en fase de verificación.
Diagrama de encapsulado de «MountTai 2026»
01 Demanda creciente: se necesita la solución óptima en densidad, capacidad y compatibilidad de proceso
Desde los SoC de alto rendimiento hasta terminales inteligentes como la IA encarnada (embodied intelligence) y las AI PC, los chips necesitan alojar más pesos, KV Cache, parámetros y datos, controlando al mismo tiempo la latencia de acceso, el consumo y el coste. La memoria no solo debe «tener suficiente espacio», sino también satisfacer la creciente demanda de capacidad bajo condiciones de integración en el chip adecuadas para la producción en serie de productos.
Cada tecnología de memoria tiene sus fortalezas y sus limitaciones. La SRAM tiene acceso rápido, pero las celdas de memoria son grandes y la densidad baja; la Flash integrada cumple la importante tarea de almacenar programas y datos, pero a medida que el proceso lógico se reduce, su integración se vuelve más difícil. La RRAM, que combina no volatilidad con potencial de integración de alta densidad, se ha convertido así en la solución tecnológica dominante de la nueva memoria.
Según informes públicos, actualmente Samsung, TSMC, GlobalFoundries y otros principales fabricantes de obleas del mundo han incluido la RRAM en sus hojas de ruta tecnológicas para nodos de proceso avanzados. Entre ellos, la hoja de ruta de TSMC establece claramente el soporte de la RRAM en los nodos de 12 nm y 6 nm. En el lado del cliente, Infineon ya ha seleccionado la RRAM para sus microcontroladores de nodo de 28 nm.
Enfocada en el mercado de la RRAM, especialmente en los ámbitos de demanda de alta densidad y gran capacidad, MemSilicon explora activamente la ruta 1TnR porque, además de reducir el coste del producto, su función más importante es integrar más celdas de memoria en un área de chip limitada, satisfaciendo las necesidades de almacenamiento y cálculo de parámetros de modelos a mayor escala.
02 De 1T1R a 1T4R: de proponer por primera vez la ruta tecnológica al tape-out del primer chip de gran capacidad
La RRAM almacena información mediante cambios en el estado de resistencia de los materiales, y conserva los datos incluso sin alimentación. En la común estructura 1T1R, un transistor de selección corresponde a una celda de memoria resistiva: el transistor se encarga de seleccionar y controlar el acceso, y la celda resistiva de almacenar la información.
A medida que el tamaño de las celdas resistivas se reduce, el área ocupada por el transistor de selección y su estructura de conexiones se convierte en el problema a resolver para seguir aumentando la densidad. La idea del 1TnR es que un transistor de selección corresponda a múltiples celdas de memoria resistiva, reduciendo la superficie media de transistor por celda de memoria.
Como líder internacional en proponer por primera vez la ruta tecnológica 1TnR compatible con procesos estándar CMOS, la acumulación tecnológica de MemSilicon proviene del equipo del académico Liu Ming de la Academia de Ciencias de China. Ya en 2020, el equipo de investigación había publicado estudios de RRAM 1T2R en 28 nm.
«MountTai 2026» adopta la estructura 1T4R, es decir, un transistor de selección corresponde a cuatro celdas de memoria resistiva. Sin embargo, compartir el transistor no significa que la densidad y el rendimiento aumenten proporcionalmente con el número de celdas. Las rutas de corriente no deseadas entre múltiples celdas de memoria, las interferencias de lectura y escritura, y la fiabilidad bajo distintas condiciones de trabajo, requieren una optimización conjunta de dispositivo, proceso y diseño de circuitos.
En torno a los desafíos tecnológicos fundamentales de los chips RRAM de gran capacidad con estructura 1TnR, el chip «MountTai 2026» presentado en esta ocasión propone y valida por primera vez, a nivel de circuito y arquitectura, una serie de tecnologías de innovación independiente: introduce un diseño de voltaje negativo y un método de circuito de reset unificado, que suprime significativamente la corriente de fuga del array, reduce el consumo del chip y mejora la fiabilidad; diseña circuitos de accionamiento de líneas de palabra de múltiples dominios de voltaje, logrando un desacoplamiento total de las rutas de lectura/escritura de alto y bajo voltaje, y propone una tecnología de voltaje de polarización de protección adaptativa, que reduce eficazmente el riesgo de escritura errónea y mejora globalmente la fiabilidad de escritura; desarrolla un circuito de lectura adaptativo con seguimiento en el chip, superando los problemas de fiabilidad de lectura y rendimiento de lectura del 1TnR a escala de Gb de gran capacidad, y, junto con el circuito de corrección de errores por hardware, construye un doble mecanismo de garantía de lectura de «adaptación de circuito + corrección de errores por hardware».
Sobre la base del proceso compatible de back-end de 28 nm, «MountTai 2026» combina las ventajas integrales de alto rendimiento, alta densidad, alta fiabilidad y bajo consumo, lo que marca un avance sistemático de la empresa en las tecnologías clave de circuitos para chips RRAM de gran capacidad en el chip, con buenas perspectivas de industrialización y un amplio espacio de aplicación.
03 En respuesta a las políticas, tres líneas en paralelo
En septiembre de este año, el Ministerio de Industria y Tecnología de la Información y la Comisión Nacional de Desarrollo y Reforma publicaron conjuntamente el «Plan de Desarrollo de la Industria de Fabricación de Productos Electrónicos y de Información para el XV Plan Quinquenal», que ya incluye los productos de memoria nueva como los memorias resistivas (RRAM), así como paradigmas de cálculo como la computación en memoria, entre las direcciones de desarrollo.
MemSilicon, cuyo equipo central proviene de la Academia de Ciencias de China y de la Universidad Fudan, responde activamente a las políticas y, en torno a las demandas de memoria integrada, memoria de gran capacidad y computación en memoria híbrida, continúa fortaleciendo su sistema de productos de desarrollo independiente.
La primera línea de productos es la IP de RRAM integrada, orientada a aplicaciones como controladores de pantalla, microcontroladores, controladores SSD y chips de seguridad, proporcionando IP de RRAM integrada que ya ha entrado en escenarios de clientes y amplía su escala de aplicación.
La segunda línea de productos es la RRAM de alta densidad y gran capacidad, centrada en aumentar la densidad de integración, ampliar la capacidad por chip y perfeccionar la forma de producto independiente (standalone), explorando además diferentes estructuras como 1TnR y la integración tridimensional posterior, así como las necesidades de almacenamiento relacionadas con la inferencia de IA.
La tercera línea de productos es la computación en memoria híbrida que combina RRAM con DRAM, orientada a la IA encarnada, las AI PC y otros escenarios de inferencia en el dispositivo; mediante la integración híbrida tridimensional, explora formas de colaboración entre diferentes tecnologías de memoria y unidades de cálculo, acorta las rutas de traslado de datos y logra el mejor equilibrio entre capacidad, ancho de banda y consumo energético.
En conjunto, impulsada por el doble motor de las políticas favorables y los avances tecnológicos, MemSilicon está llamada a contribuir de manera importante, como fuerza de memoria nueva de innovación independiente, a consolidar la base de almacenamiento y cómputo de China.