IT之家 El 15 de octubre, según informó el medio coreano The Elec, SK Hynix ha divulgado los resultados de su investigación sobre el 3D FeNAND para la computación analógica en memoria (Analog Compute-in-Memory, A-CiM). La investigación relacionada ya fue publicada en un artículo de IEEE.
Según la información proporcionada, A-CiM puede utilizar señales simuladas para realizar operaciones de suma y multiplicación directamente en el almacenamiento (nota de IT Home: MAC), reduciendo el transporte de datos y mejorando la velocidad de procesamiento y la eficiencia energética.
3D FeNAND utiliza el estado de polarización de materiales ferriélicos para almacenar datos y controlar la corriente. En contraste, el 3D NAND tradicional utiliza una estructura de nitruro de captura de carga (CTN), donde los electrones se capturan en capas de nitruro. Los materiales ferriélicos se caracterizan por mantener su estado de polarización interno incluso cuando desaparece el campo eléctrico externo.
SK Hynix indica que FeNAND puede generar varios estados de corriente en una sola unidad de almacenamiento.Datos de pesos necesarios para el cálculo de la IA。