Samsung Electronics anunció el lunes, en el seminario sobre aplicaciones de la inteligencia artificial en la I+D industrial organizado por el foro de la Asociación Industrial de Corea, que planea introducir de manera integral la tecnología de inteligencia artificial para comprimir drásticamente el ciclo de desarrollo de nuevos materiales semiconductores, reduciéndolo de los tradicionales 5 años a 2 años, un acorte de hasta 3 años.
Choi Young-sang, responsable del Instituto Avanzado de Tecnología de Samsung, declaró en el encuentro que, gracias al profundo impulso de la tecnología de IA, no solo se podrá aumentar en más de 5 veces la cantidad de materiales candidatos prometedores evaluados, sino que también se reducirá en más del 80 % el volumen de experimentos necesarios para encontrar las condiciones óptimas de proceso.
El desarrollo de materiales semiconductores ha enfrentado durante mucho tiempo elevados costos de tiempo y de prueba y error. Tomando como ejemplo las estructuras de películas delgadas multicapa, solo una estructura de siete capas implica más de 100 millones de combinaciones de materiales, mientras que el modelo tradicional, limitado por la experiencia y la intuición de los investigadores, solo permite realizar unos 50 experimentos al mes, lo que provoca que una gran cantidad de datos de experimentos fallidos no se aprovechen plenamente.
La intervención de la tecnología de IA rompe este cuello de botella, acelerando la selección de materiales y la optimización de procesos mediante el aprendizaje profundo de enormes volúmenes de datos y simulaciones de alta eficiencia. Samsung planea además extender este paradigma de I+D basado en IA a otros campos de materiales industriales, como las baterías, para seguir reduciendo los costos integrales de desarrollo. Esta transformación estratégica marca que el desarrollo de materiales semiconductores está acelerando su entrada en una nueva etapa de inteligencia y alta eficiencia.