IT之家 – Le 15 octobre, selon un rapport du média coréen The Elec, SK Hynix a publié les résultats de ses recherches concernant le 3D FeNAND permettant le calcul analogique dans la mémoire (Analog Compute-in-Memory, A-CiM). Les études connexes ont été publiées dans un article IEEE.
Selon les informations fournies, A-CiM peut utiliser des signaux simulés pour effectuer directement des opérations de multiplication et d’addition dans la mémoire (notre note à IT Home : MAC), ce qui réduit le transfert de données et améliore la vitesse de traitement et l’efficacité énergétique.
3D FeNAND utilise l’état de polarisation des matériaux ferroelektriques pour stocker les données et contrôler le courant. En comparaison, la NAND 3D traditionnelle utilise une structure de nitrure capturant la charge (CTN), où les électrons sont capturés dans les couches nitrures. Les matériaux ferroelektriques se caractérisent par le fait que leur état de polarisation interne peut persister même lorsque l’ champ électrique externe disparaît.
SK Hynix indique que FeNAND peut générer plusieurs états de courant dans une seule cellule de stockage, adéquat pour les données de poids nécessaires aux calculs d’IA.