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El ex CEO de Intel Gelsinger apuesta por una nueva memoria para IA: Z2RAM planea evitar la litografía EUV y entregar muestras en 4 años

IT之家 Noticia del 28 de octubre: el medio tecnológico semiconleadersasia publicó ayer (27 de octubre) un artículo que informa que el ex director ejecutivo de Intel, Pat Gelsinger (Pat Gelsinger), está apoyando, a través de la firma de capital de riesgo Playground Global, a la startup de memoria Nagare Labs en el desarrollo de la tecnología de almacenamiento de próxima generación Z2RAM.

IT之家 Noticia del 28 de octubre: el medio tecnológico semiconleadersasia publicó ayer (27 de octubre) un artículo que informa que el ex director ejecutivo de Intel, Pat Gelsinger (Pat Gelsinger), está apoyando, a través de la firma de capital de riesgo Playground Global, a la startup de memoria Nagare Labs en el desarrollo de la tecnología de almacenamiento de próxima generación Z2RAM.

La compañía recientemente completó una ronda de financiación semilla de 500 万 dólares (nota de IT之家: al tipo de cambio actual equivale a unos 3,340.5 万 de yuanes) liderada por Playground Global, con el objetivo de crear una memoria de cómputo para IA que combine la velocidad de la SRAM con la densidad de la DRAM, para aliviar el cuello de botella del "muro de la memoria".

Z2RAM fue desarrollada por Nagare Labs, fundada por los investigadores del Georgia Institute of Technology Suman Datta y Shimeng Yu, utiliza materiales semiconductores de óxido y planea integrarse directamente sobre los chips lógicos mediante unión híbrida 3D.

El principal punto de venta de Z2RAM es el uso del proceso estándar de retro (BEOL): sin litografía ultravioleta extrema (EUV), puede formar estructuras de almacenamiento multicapa en una sola exposición, lo que promete aumentar la densidad y reducir la complejidad y el costo de fabricación.

A diferencia de la DRAM tradicional, que depende de condensadores para almacenar carga, Z2RAM emplea celdas de memoria basadas en transistores que permiten lecturas no destructivas, lo que promete reducir la latencia de acceso. La startup también planea apilar verticalmente las celdas de memoria al estilo de la memoria flash NAND; su esquema inicial apunta a una densidad de bits superior a 5 veces la de la SRAM.

Sin embargo, esta tecnología todavía se encuentra en fase de prototipo de laboratorio. Nagare Labs está buscando socios de fabricación e I+D para superar los límites de capacidad de las salas limpias universitarias; la compañía planea lanzar muestras funcionales de chips de memoria Z2RAM en un plazo de cuatro años y lograr la entrega comercial en la próxima década.

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