Samsung Electronics a annoncé lundi, lors du séminaire sur les applications de l'intelligence artificielle en R&D industrielle organisé par le forum de l'Association de l'industrie coréenne, son projet d'introduire pleinement les technologies d'intelligence artificielle afin de réduire fortement le cycle de développement de nouveaux matériaux semi-conducteurs, qui passerait des 5 ans traditionnels à 2 ans, soit une réduction de durée de 3 ans.
Choi Young-sang, responsable du Samsung Advanced Institute of Technology, a déclaré lors de la conférence que, grâce à l'intégration profonde des technologies d'IA, il serait non seulement possible d'augmenter de plus de 5 fois le nombre de matériaux candidats prometteurs présélectionnés, mais aussi de réduire de plus de 80 % le volume d'expériences nécessaires pour trouver les conditions de procédé optimales.
La recherche et le développement de matériaux semi-conducteurs font depuis longtemps face à des coûts de temps et d'essais-erreurs très élevés. Prenons l'exemple des structures multicouches à films minces : une structure de seulement sept couches implique plus de 100 millions de combinaisons de matériaux, tandis que le modèle traditionnel, limité par l'expérience et l'intuition des chercheurs, ne permet de réaliser qu'environ 50 expériences par mois, de sorte qu'une grande quantité de données d'expériences échouées n'est pas pleinement exploitée.
L'intervention de la technologie d'IA a permis de surmonter ce goulot d'étranglement : grâce à l'apprentissage profond et à la simulation efficace de données massives, la sélection des matériaux et l'optimisation des procédés sont accélérées. Samsung prévoit également d'étendre ce paradigme de R&D basé sur l'IA à d'autres domaines de matériaux industriels, tels que les batteries, afin de continuer à réduire les coûts de développement globaux. Cette transformation stratégique marque l'accélération de l'entrée de la R&D sur les matériaux semi-conducteurs dans une nouvelle phase intelligente et hautement efficace.